Ładuje się......
Growing GaN LEDs on amorphous SiC buffer with variable C/Si compositions
The epitaxy of high-power gallium nitride (GaN) light-emitting diode (LED) on amorphous silicon carbide (a-Si(x)C(1−x)) buffer is demonstrated. The a-Si(x)C(1−x) buffers with different nonstoichiometric C/Si composition ratios are synthesized on SiO(2)/Si substrate by using a low-temperature plasma...
Zapisane w:
| Wydane w: | Sci Rep |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Nature Publishing Group
2016
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4726127/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26794268 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep19757 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|