Načítá se...
Growing GaN LEDs on amorphous SiC buffer with variable C/Si compositions
The epitaxy of high-power gallium nitride (GaN) light-emitting diode (LED) on amorphous silicon carbide (a-Si(x)C(1−x)) buffer is demonstrated. The a-Si(x)C(1−x) buffers with different nonstoichiometric C/Si composition ratios are synthesized on SiO(2)/Si substrate by using a low-temperature plasma...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Sci Rep |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , , , , , , , , , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
Nature Publishing Group
2016
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4726127/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26794268 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep19757 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|