Đang tải...
Thickness-Induced Metal-Insulator Transition in Sb-doped SnO(2) Ultrathin Films: The Role of Quantum Confinement
A thickness induced metal-insulator transition (MIT) was firstly observed in Sb-doped SnO(2) (SnO(2):Sb) epitaxial ultrathin films deposited on [Image: see text] sapphire substrates by pulsed laser deposition. Both electrical and spectroscopic studies provide clear evidence of a critical thickness f...
Đã lưu trong:
Xuất bản năm: | Sci Rep |
---|---|
Những tác giả chính: | , , , , , |
Định dạng: | Artigo |
Ngôn ngữ: | Inglês |
Được phát hành: |
Nature Publishing Group
2015
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4663506/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26616286 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep17424 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|