تحميل...
Opening of triangular hole in triangular-shaped chemical vapor deposited hexagonal boron nitride crystal
In-plane heterostructure of monolayer hexagonal boron nitride (h-BN) and graphene is of great interest for its tunable bandgap and other unique properties. Here, we reveal a H(2)-induced etching process to introduce triangular hole in triangular-shaped chemical vapor deposited individual h-BN crysta...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Sci Rep |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Nature Publishing Group
2015
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4650756/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25994455 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep10426 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|