Ładuje się......
Fluorine doping: a feasible solution to enhancing the conductivity of high-resistance wide bandgap Mg(0.51)Zn(0.49)O active components
N-type doping of high-resistance wide bandgap semiconductors, wurtzite high-Mg-content Mg(x)Zn(1–x)O for instance, has always been a fundamental application-motivated research issue. Herein, we report a solution to enhancing the conductivity of high-resistance Mg(0.51)Zn(0.49)O active components, wh...
Zapisane w:
| Wydane w: | Sci Rep |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Nature Publishing Group
2015
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4614808/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26489958 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep15516 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|