Ładuje się......
Microscopic basis for the band engineering of Mo(1−x)W(x)S(2)-based heterojunction
Transition-metal dichalcogenide layered materials, consisting of a transition-metal atomic layer sandwiched by two chalcogen atomic layers, have been attracting considerable attention because of their desirable physical properties for semiconductor devices, and a wide variety of pn junctions, which...
Zapisane w:
| Wydane w: | Sci Rep |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Nature Publishing Group
2015
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4595798/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26443124 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep14808 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|