Загрузка...
Numerical simulation of ISFET structures for biosensing devices with TCAD tools
BACKGROUND: Ion Sensitive Field Effect Transistors (ISFETs) are one of the primitive structures for the fabrication of biosensors (BioFETs). Aiming at the optimization of the design and fabrication processes of BioFETs, the correlation between technological parameters and device electrical response...
Сохранить в:
| Опубликовано в: : | Biomed Eng Online |
|---|---|
| Главные авторы: | , , , |
| Формат: | Artigo |
| Язык: | Inglês |
| Опубликовано: |
BioMed Central
2015
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4547192/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26329255 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1475-925X-14-S2-S3 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|