Đang tải...
Novel thin-GaN LED structure adopted micro abraded surface to compare with conventional vertical LEDs in ultraviolet light
In this study, novel thin-GaN-based ultraviolet light-emitting diodes (NTG-LEDs) were fabricated using wafer bonding, laser lift-off, dry etching, textured surface, and interconnection techniques. Placing PN electrodes on the same side minimized the absorption caused by electrodes in conventional ve...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer US
2015
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4404426/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25977655 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-015-0885-4 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|