Hysteresis modeling in ballistic carbon nanotube field-effect transistors

Theoretical models are adapted to describe the hysteresis effects seen in the electrical characteristics of carbon nanotube field-effect transistors. The ballistic transport model describes the contributions of conduction energy sub-bands over carbon nanotube field-effect transistor drain current as...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главные авторы: Liu, Yian, Moura, Mateus S, Costa, Ademir J, de Almeida, Luiz Alberto L, Paranjape, Makarand, Fontana, Marcio
Формат: Artigo
Язык:Inglês
Опубликовано: Dove Medical Press 2014
Предметы:
Original Research
Online-ссылка:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4099195/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25187698
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.2147/NSA.S58003
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Схожие документы