লোডিং...

Electrically and Optically Readable Light Emitting Memories

Electrochemical metallization memories based on redox-induced resistance switching have been considered as the next-generation electronic storage devices. However, the electronic signals suffer from the interconnect delay and the limited reading speed, which are the major obstacles for memory perfor...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Chang, Che-Wei, Tan, Wei-Chun, Lu, Meng-Lin, Pan, Tai-Chun, Yang, Ying-Jay, Chen, Yang-Fang
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: Nature Publishing Group 2014
বিষয়গুলি:
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4044638/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/24894723
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep05121
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!