تحميل...
Transparent Multi-level Resistive Switching Phenomena Observed in ITO/RGO/ITO Memory Cells by the Sol-Gel Dip-Coating Method
A reduced graphene oxide (RGO)-based transparent electronic memory cell with multi-level resistive switching (RS) was successfully realized by a dip-coating method. Using ITO/RGO/ITO structures, the memory device exhibited a transmittance above 80% (including the substrate) in the visible region and...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Nature Publishing Group
2014
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3980222/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/24714566 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep04614 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|