Erratum: “Kinase detection with gallium nitride based high electron mobility transistors” [Appl. Phys. Lett. 103, 013701 (2013)]

অনুরূপ উপাদানগুলি

• Kinase detection with gallium nitride based high electron mobility transistors
  অনুযায়ী: Makowski, Matthew S., অন্যান্য
  প্রকাশিত: (2013)
• Noninvasive Stimulation of Neurotypic Cells Using Persistent Photoconductivity of Gallium Nitride
  অনুযায়ী: Snyder, Patrick J., অন্যান্য
  প্রকাশিত: (2018)
• Bioelectronics Communication: Encoding Yeast Regulatory Responses Using Nanostructured Gallium Nitride Thin Films
  অনুযায়ী: Snyder, Patrick J., অন্যান্য
  প্রকাশিত: (2018)
• Molecular Analysis of Blood with Micro/Nano Scale Field Effect Transistor Biosensors
  অনুযায়ী: Makowski, Matthew S., অন্যান্য
  প্রকাশিত: (2011)
• Erratum: “Temperature dependence of 1∕f noise mechanisms in silicon nanowire biochemical field effect transistors” [Appl. Phys. Lett. 97, 243501 (2010)]
  অনুযায়ী: Rajan, Nitin K., অন্যান্য
  প্রকাশিত: (2011)