Đang tải...
Pores in n-Type InP: A Model System for Electrochemical Pore Etching
The growth mechanism of currentline-oriented pores in n-type InP has been studied by Fast-Fourier-Transform Impedance Spectroscopy (FFT IS) applied in situ during pore etching and by theoretical calculations. Several pore growth parameters could thus be extracted in situ that are otherwise not obtai...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer
2010
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC2894204/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/20596354 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1007/s11671-010-9624-z |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|