Numerical Study of the Thermal and Flow Fields during the Growth Process of 800 kg and 1600 kg Silicon Feedstock

Two-dimensional (2D) transient numerical simulations are performed to investigate the evolution of the thermal and flow fields during the growth of multi-crystalline silicon ingots with two different silicon feedstock capacities, 800 kg and 1600 kg. The simulation results show that there are differe...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Thi Hoai Thu Nguyen, Jyh Chen Chen, Chieh Hu, Chun Hung Chen, Yen Hao Huang, Huang Wei Lin, Andy Yu, Bruce Hsu, Michael Yang, Ray Yang
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: MDPI AG 2017-03-01
سلاسل:Crystals
الموضوعات:
multi-crystalline silicon
directional solidification
solar cells
الوصول للمادة أونلاين:http://www.mdpi.com/2073-4352/7/3/74
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة