טוען...

Numerical Study of the Thermal and Flow Fields during the Growth Process of 800 kg and 1600 kg Silicon Feedstock

Two-dimensional (2D) transient numerical simulations are performed to investigate the evolution of the thermal and flow fields during the growth of multi-crystalline silicon ingots with two different silicon feedstock capacities, 800 kg and 1600 kg. The simulation results show that there are differe...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Main Authors: Thi Hoai Thu Nguyen, Jyh Chen Chen, Chieh Hu, Chun Hung Chen, Yen Hao Huang, Huang Wei Lin, Andy Yu, Bruce Hsu, Michael Yang, Ray Yang
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: MDPI AG 2017-03-01
סדרה:Crystals
נושאים:
גישה מקוונת:http://www.mdpi.com/2073-4352/7/3/74
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!