লোডিং...
Heterogeneous integration of InAs/GaSb tunnel diode structure on silicon using 200 nm GaAsSb dislocation filtering buffer
An InAs/GaSb tunnel diode structure was heterogeneously integrated on silicon by solid source molecular beam epitaxy using a 200 nm strained GaAs1-ySby dislocation filtering buffer. X-ray analysis demonstrated near complete strain relaxation of the metamorphic buffer and a quasi-lattice-matched InAs...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
AIP Publishing LLC
2018-10-01
|
| মালা: | AIP Advances |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://dx.doi.org/10.1063/1.5042064 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|