Đang tải...
THE INTENSITY OF SCATTERING OF CHARGE CARRIERS IN GRAPHENE, LOCATED ON A SUBSTRATE OF HEXAGONAL BORON NITRIDE
The results of modeling the scattering intensities of charge carriers in graphene located on a substrate of hexagonal boron nitride are presented. Graphene is considered a promising material for the formation of new semiconductor devices with good characteristics for the microwave and HF bands. Form...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Russo |
| Được phát hành: |
Educational institution «Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics»
2019-12-01
|
| Loạt: | Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/2491 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|