Φορτώνει......
Low-temperature PZT thin-film ferroelectric memories fabricated on SiO2/Si and glass substrates
In a ferroelectric-gate thin film transistor memory (FGT) type structure, the gate-insulator layer is extremely important for inducing the charge when accumulating or depleting. We concentrated on the application of low-temperature PZT films crystallized at 450, 500 and 550 °C, instead of at convent...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριοι συγγραφείς: | , , , |
|---|---|
| Μορφή: | Artigo |
| Γλώσσα: | Inglês |
| Έκδοση: |
Elsevier
2016-03-01
|
| Σειρά: | Journal of Science: Advanced Materials and Devices |
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2468217916300120 |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|