Đang tải...
Low-temperature PZT thin-film ferroelectric memories fabricated on SiO2/Si and glass substrates
In a ferroelectric-gate thin film transistor memory (FGT) type structure, the gate-insulator layer is extremely important for inducing the charge when accumulating or depleting. We concentrated on the application of low-temperature PZT films crystallized at 450, 500 and 550 °C, instead of at convent...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Elsevier
2016-03-01
|
| Loạt: | Journal of Science: Advanced Materials and Devices |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2468217916300120 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|