تحميل...
Low-temperature PZT thin-film ferroelectric memories fabricated on SiO2/Si and glass substrates
In a ferroelectric-gate thin film transistor memory (FGT) type structure, the gate-insulator layer is extremely important for inducing the charge when accumulating or depleting. We concentrated on the application of low-temperature PZT films crystallized at 450, 500 and 550 °C, instead of at convent...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Elsevier
2016-03-01
|
| سلاسل: | Journal of Science: Advanced Materials and Devices |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2468217916300120 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|