PCSEL Performance of Type-I InGaAsSb Double-QWs Laser Structure Prepared by MBE

This paper discusses the issue of controlling the epitaxial growth of mixed group V alloys to form a type-I InGaAsSb/AlGaAsSb double quantum wells (QWs) structure. We also discuss the run-to-run reproducibility of lattice-matched AlGaAsSb alloys and strained In<sub>0.35</sub>Ga<sub>...

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Detalhes bibliográficos
Main Authors: Hui-Wen Cheng, Shen-Chieh Lin, Zong-Lin Li, Kien-Wen Sun, Chien-Ping Lee
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: MDPI AG 2019-01-01
Colecção:Materials
Assuntos:
Type-I QW
InGaAsSb/AlGaAsSb
MBE
lattice matched
PCSEL
Acesso em linha:https://www.mdpi.com/1996-1944/12/2/317
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