Resistive switching effect of N-doped MoS2-PVP nanocomposites films for nonvolatile memory devices

Resistive memory technology is very promising in the field of semiconductor memory devices. According to Liu et al, MoS2-PVP nanocomposite can be used as an active layer material for resistive memory devices due to its bipolar resistive switching behavior. Recent studies have also indicated that the...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Zijin Wu, Tongtong Wang, Changqi Sun, Peitao Liu, Baorui Xia, Jingyan Zhang, Yonggang Liu, Daqiang Gao
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: AIP Publishing LLC 2017-12-01
Loạt:AIP Advances
Truy cập trực tuyến:http://dx.doi.org/10.1063/1.4994227
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự