An X-Band 40 W Power Amplifier GaN MMIC Design by Using Equivalent Output Impedance Model

This paper presents an X-band 40 W power amplifier with high efficiency based on 0.25 μm GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) on SiC process. An equivalent RC (Resistance Capacitance) model is presented to provide accurate large-signal output impedances of GaN HEMTs with arbitrary dim...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři: Ruitao Chen, Ruchun Li, Shouli Zhou, Shi Chen, Jianhua Huang, Zhiyu Wang
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: MDPI AG 2019-01-01
Edice:Electronics
Témata:
X-band
GaN
power amplifier
MMIC
On-line přístup:http://www.mdpi.com/2079-9292/8/1/99
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!

Podobné jednotky