Efficacy of Transistor Interleaving in DICE Flip-Flops at a 22 nm FD SOI Technology Node

Fully Depleted Silicon on Insulator (FD SOI) technology nodes provide better resistance to single event upsets than comparable bulk technologies, but upsets are still likely to occur at nano-scale feature sizes, and additional hardening techniques should be explored. Three flip-flop designs were imp...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Christopher J. Elash, Zongru Li, Chen Jin, Li Chen, Jiesi Xing, Zhiwu Yang, Shuting Shi
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: MDPI AG 2022-04-01
سلاسل:Applied Sciences
الموضوعات:
Dual Interlocked Cell (DICE)
flip-flop
radiation
single event upset
single event effects
soft errors
الوصول للمادة أونلاين:https://www.mdpi.com/2076-3417/12/9/4229
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة