Efficacy of Transistor Interleaving in DICE Flip-Flops at a 22 nm FD SOI Technology Node

Fully Depleted Silicon on Insulator (FD SOI) technology nodes provide better resistance to single event upsets than comparable bulk technologies, but upsets are still likely to occur at nano-scale feature sizes, and additional hardening techniques should be explored. Three flip-flop designs were imp...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Christopher J. Elash, Zongru Li, Chen Jin, Li Chen, Jiesi Xing, Zhiwu Yang, Shuting Shi
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: MDPI AG 2022-04-01
মালা:Applied Sciences
বিষয়গুলি:
Dual Interlocked Cell (DICE)
flip-flop
radiation
single event upset
single event effects
soft errors
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://www.mdpi.com/2076-3417/12/9/4229
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি