Controlling the Doping Depth in Silicon Micropillars

Micropillar arrays with radial p–n junctions are attractive for photovoltaic applications, because the light absorption and carrier collection become decoupled. The main challenge in manufacturing radial p–n junctions is achieving shallow (dopant depth <200 nm) and heavy doping (>10<sup>...

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Detalhes bibliográficos
Autor principal: Amal Kabalan
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: MDPI AG 2020-07-01
coleção:Applied Sciences
Assuntos:
micropillars
silicon
shallow doping
Acesso em linha:https://www.mdpi.com/2076-3417/10/13/4581
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