Ion Microbeam Studies of Charge Transport in Semiconductor Radiation Detectors With Three-Dimensional Structures: An Example of LGAD

The development of semiconductor detectors with an increased tolerance to high radiation levels often results in devices that deviate significantly from those of the classical design with planar electrodes. Decreasing the charge drift distance and/or introducing localised charge multiplication volum...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Milko Jakšić, Andreo Crnjac, Gregor Kramberger, Miloš Manojlović, Gordana Laštovička-Medin, Mauricio Rodriguez Ramos
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Frontiers Media S.A. 2022-05-01
Loạt:Frontiers in Physics
Những chủ đề:
ion microprobe
IBIC
charge collection efficiency
semiconductor detectors
LGAD
gain suppression
Truy cập trực tuyến:https://www.frontiersin.org/articles/10.3389/fphy.2022.877577/full
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự