A Review on Experimental Measurements for Understanding Efficiency Droop in InGaN-Based Light-Emitting Diodes

Efficiency droop in GaN-based light emitting diodes (LEDs) under high injection current density perplexes the development of high-power solid-state lighting. Although the relevant study has lasted for about 10 years, its mechanism is still not thoroughly clear, and consequently its solution is also...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Lai Wang, Jie Jin, Chenziyi Mi, Zhibiao Hao, Yi Luo, Changzheng Sun, Yanjun Han, Bing Xiong, Jian Wang, Hongtao Li
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: MDPI AG 2017-10-01
মালা:Materials
বিষয়গুলি:
light-emitting diodes (LEDs)
efficiency droop
GaN
InGaN
multiple quantum wells (MQWs)
carrier lifetime
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://www.mdpi.com/1996-1944/10/11/1233
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি