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Ambipolar transport in CVD grown MoSe2 monolayer using an ionic liquid gel gate dielectric

CVD grown MoSe2 monolayers were electrically characterized at room temperature in a field effect transistor (FET) configuration using an ionic liquid (IL) as the gate dielectric. During the growth, instead of using MoO3 powder, ammonium heptamolybdate was used for better Mo control of the source and...

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Detalhes bibliográficos
Main Authors: Deliris N. Ortiz, Idalia Ramos, Nicholas J. Pinto, Meng-Qiang Zhao, Vinayak Kumar, A. T. Charlie Johnson
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: AIP Publishing LLC 2018-03-01
Colecção:AIP Advances
Acesso em linha:http://dx.doi.org/10.1063/1.5020443
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