热处理对电子辐照硅中多稳态缺陷的影响
利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）对电子辐照区熔硅中多稳态缺陷进行研究的结果表明。经２ｈ１０００℃温度退火后，观测到在能级中的多稳组态由４０％减少到１０％左右。这一实验结果为多稳态缺陷不是Ｐｓ－Ｃｉ结构，而是Ｅ中心自身在晶场应力下显示多稳态特性的设想提供了有说服力的证明。
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| Principais autores: | , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
Editorial Department of Journal of Sichuan University (Natural Science Edition)
1994-01-01
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| coleção: | 四川大学学报. 自然科学版 |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | http://science.scu.edu.cn/thesisDetails?columnId=156413026&Fpath=home&index=0 |
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