退火对Cd<sub>1-x</sub>Zn<sub>x</sub>Te薄膜性质的影响
本文用双源真空蒸发的方法制备了Cd1-xZnxTe薄膜,通过热探针、SEM、XRD及紫外-可见光透过谱等方法研究了不同退火条件对薄膜性质的影响.退火后Cd1-xZnxTe多晶薄膜的光学禁带宽度在1.54eV～1.68eV之间,且沿立方相(111)面择优生长.退火温度主要影响薄膜表面的粗糙度和平均晶粒尺寸,退火时间主要影响薄膜的平均晶粒尺寸.退火温度与时间对薄膜电学性质的影响较小.
Uloženo v:
| Hlavní autoři: | , , , , , , , |
|---|---|
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
Editorial Department of Journal of Sichuan University (Natural Science Edition)
2013-01-01
|
| Edice: | 四川大学学报. 自然科学版 |
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://science.scu.edu.cn/thesisDetails?columnId=156493991&Fpath=home&index=0 |
| Tagy: |
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|