Sputter epitaxy of ZnO–InN alloy films on sapphire substrates realized via 3D buffer layers and kinetically driven growth control
We demonstrate epitaxial growth of high-quality (ZnO)0.9(InN)0.1 films (ZION films) on sapphire substrates using three-dimensional (3D) ZnO island buffer layers. These buffer layers play a crucial role in overcoming the 19% lattice mismatch between (ZnO)0.9(InN)0.1 and sapphire, providing lattice-re...
Збережено в:
| Автори: | , , , , , , , |
|---|---|
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Inglês |
| Опубліковано: |
AIP Publishing LLC
2025-09-01
|
| Серія: | AIP Advances |
| Онлайн доступ: | http://dx.doi.org/10.1063/5.0272318 |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|