kod QR

Anisotropic magnetoresistance and planar Hall effect in an antiferromagnetic insulator-topological insulator heterostructure

The coupling between magnetism and topological states at a topological insulator (TI)-magnetic insulator interface can induce exchange gap opening and spin texture change, resulting in many emergent transport phenomena, including anisotropic magnetoresistance (AMR) and planar Hall effect (PHE). Whil...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Główni autorzy: Yuxin Liu, Yongqing Li, Jing Teng
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: American Physical Society 2025-08-01
Seria:Physical Review Research
Dostęp online:http://doi.org/10.1103/32h4-l2j6
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!