Tapered Cross Section Photoelectron Spectroscopy Provides Insights into the Buried Interfaces of III‐V Semiconductor Devices

Abstract Interfaces are key elements that define electronic properties of the final device. Inevitably, most of the active interfaces of III–V semiconductor devices are buried and it is therefore not straightforward to characterize them. The Tapered Cross Section Photoelectron Spectroscopy (TCS‐PES)...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Clément Maheu, Mohammad Amin Zare Pour, Iban Damestoy, David Ostheimer, Maximilian Mellin, Dominik C. Moritz, Agnieszka Paszuk, Wolfram Jaegermann, Thomas Mayer, Thomas Hannappel, Jan P. Hofmann
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	Wiley-VCH 2023-01-01
سلاسل:	Advanced Materials Interfaces
الموضوعات:	III‐V semiconductors buried interfaces energetic alignment photoelectron spectroscopy tapered cross section
الوصول للمادة أونلاين:	https://doi.org/10.1002/admi.202201648
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!