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Edge transport in the trivial phase of InAs/GaSb

We present transport and scanning SQUID measurements on InAs/GaSb double quantum wells, a system predicted to be a two-dimensional topological insulator. Top and back gates allow independent control of density and band offset, allowing tuning from the trivial to the topological regime. In the trivia...

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Principais autores: Fabrizio Nichele, Henri J Suominen, Morten Kjaergaard, Charles M Marcus, Ebrahim Sajadi, Joshua A Folk, Fanming Qu, Arjan J A Beukman, Folkert K de Vries, Jasper van Veen, Stevan Nadj-Perge, Leo P Kouwenhoven, Binh-Minh Nguyen, Andrey A Kiselev, Wei Yi, Marko Sokolich, Michael J Manfra, Eric M Spanton, Kathryn A Moler
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: IOP Publishing 2016-01-01
coleção:New Journal of Physics
Assuntos:
quantum spin Hall effect
topological insulator
scanning SQUID
InAs/GaSb
Acesso em linha:https://doi.org/10.1088/1367-2630/18/8/083005
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