Epitaxial Graphene on 4H-SiC (0001) as a Versatile Platform for Materials Growth: Mini-Review

Material growth on a dangling-bond-free interface such as graphene is a challenging technological task, which usually requires additional surface pre-treatment steps (functionalization, seed layer formation) to provide enough reactive sites. Being one of the most promising and adaptable graphene-fam...

முழு விளக்கம்

நூற்பட்டியல் விவரங்கள்

முதன்மை ஆசிரியர்கள்:	Ivan Shtepliuk, Filippo Giannazzo, Rositsa Yakimova
வடிவம்:	Artigo
மொழி:	Inglês
வெளியிடப்பட்டது:	MDPI AG 2021-06-01
தொடர்:	Applied Sciences
பொருள்கள்:	epitaxial graphene SiC deposition metals insulators growth mechanism
ஆன்லைன் அணுகல்:	https://www.mdpi.com/2076-3417/11/13/5784
குறிச்சொற்கள்:	குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும் டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!