Exchange bias in Ba0.4Sr0.6TiO3/La0.7Sr0.3MnO3 heterostructures
This work relates to the integration of the two-layer stack of the proposed multiferroic structure onto silicon substrates. Ba1-xSrxTiO3 is an excellent material for room-temperature voltage-tunable dielectric applications due to its high (ε=6000) dielectric constant. In this study we choose a compo...
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| Principais autores: | , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
AIP Publishing LLC
2017-05-01
|
| coleção: | AIP Advances |
| Acesso em linha: | http://dx.doi.org/10.1063/1.4977071 |
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