High Hole Mobility Polycrystalline GaSb Thin Films
In this paper, we report on the structural and electronic properties of polycrystalline gallium antimonide (poly-GaSb) films (50–250 nm) deposited on <i>p</i><sup>+</sup> Si/SiO<sub>2</sub> by metalorganic vapour phase epitaxy at 475 °C. GaSb films grown on semi-insulating GaAs substrates are includ...
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| Principais autores: | , , , , , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
MDPI AG
2021-11-01
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| coleção: | Crystals |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://www.mdpi.com/2073-4352/11/11/1348 |
| Tags: |
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