Impact of Channel Thickness on the NBTI Behaviors in the Ge-OI pMOSFETs With Al₂O₃/GeO_x Gate Stacks

The impact of channel thickness on the negative-bias temperature instability (NBTI) behaviors has been studied for the Germanium-on-Insulator (Ge-OI) pMOSFETs. It is found that the permanent and recoverable defects are generated simultaneously during the NBTI stress of Ge-OI pMOSFETs. The lower NBTI...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	Yu Sun, Walter Schwarzenbach, Sicong Yuan, Zhuo Chen, Yanbin Yang, Bich-Yen Nguyen, Dawei Gao, Rui Zhang
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	IEEE 2023-01-01
Seria:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
Hasła przedmiotowe:	Germanium-on-Insulator (Ge-OI) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) negative-bias temperature instability (NBTI)
Dostęp online:	https://ieeexplore.ieee.org/document/10079114/
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!