Effect of Deposition Power on the Thermoelectric Performance of Bismuth Telluride Prepared by RF Sputtering

In this work, we present a simple method to improve the thermoelectric performance of the RF sputtered bismuth telluride films by raising the power of deposition. The as-deposited samples synthesized under different powers were investigated and compared. It shows that the films prepared under relati...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Kai-Yan Zang, Er-Tao Hu, Zheng-Yong Wang, Hua-Tian Tu, Yu-Xiang Zheng, Song-You Wang, Hai-Bin Zhao, Yue-Mei Yang, Young-Pak Lee, Liang-Yao Chen
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	MDPI AG 2020-06-01
Շարք:	Crystals
Խորագրեր:	bismuth telluride thermoelectric material RF sputtering
Առցանց հասանելիություն:	https://www.mdpi.com/2073-4352/10/7/552
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!