Strong mode coupling in InP quantum dot-based GaInP microdisk cavity dimers

We report on strong mode coupling in closely spaced GaInP microdisk dimer structures including InP quantum dots as the active medium. Using electron beam lithography and a combination of dry- and wet-etch processes, dimers with inter-disk separations down to d  < 100 nm have been fabricated. Applyin...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי

Principais autores:	M Witzany, T-L Liu, J-B Shim, F Hargart, E Koroknay, W-M Schulz, M Jetter, E Hu, J Wiersig, P Michler
פורמט:	Artigo
שפה:	Inglês
יצא לאור:	IOP Publishing 2013-01-01
סדרה:	New Journal of Physics
גישה מקוונת:	https://doi.org/10.1088/1367-2630/15/1/013060
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!