QR-koodi

AlGaAs Tunnel Junction (TJ)-VCSELs: A NEGF–Drift-Diffusion Approach

This work reports a multiscale physics-based approach aimed at investigating the benefits of introducing a single tunnel junction (TJ) within conventional AlGaAs Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (VCSELs). Our comprehensive VCSEL solver VENUS is augmented with a non-equilibrium Green's...

Täydet tiedot

Tallennettuna:
Bibliografiset tiedot
Päätekijät: Alberto Gullino, Valerio Torrelli, Martino D'Alessandro, Alberto Tibaldi, Francesco Bertazzi, Michele Goano, Pierluigi Debernardi
Aineistotyyppi: Artigo
Kieli:Inglês
Julkaistu: IEEE 2024-01-01
Sarja:IEEE Photonics Journal
Aiheet:
Linkit:https://ieeexplore.ieee.org/document/10417142/
Tagit: Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!