A Device Design for 5 nm Logic FinFET Technology
With the continuous scaling in conventional CMOS technologies, the planar MOSFET device is limited by the severe short-channel-effect (SCE), Multi-gate FETs (MuG-FET) such as FinFETs and Nanowire, Nanosheet devices have emerged as the most promising candidates to extend the CMOS scaling beyond sub-22...
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| Principais autores: | , , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
JommPublish
2020-03-01
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| coleção: | Journal of Microelectronic Manufacturing |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | http://www.jommpublish.org/p/50/ |
| Tags: |
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