High frequency and magnetoelectrical properties of magnetoresistive memory element based on FeCoNi/TiN/FeCoNi film

A miniaturised memory device for information recording and readout processes have been designed on the basis of anisotropic magnetoresistive effect in Fe15Co20Ni65(160Å)/ TiN(50Å)/Fe15Co20Ni65(160Å) three-layered film done by rf diode sputtering. Stable recording and readout processes were available...

Täydet tiedot

Bibliografiset tiedot

Päätekijät:	Kurlyandskaya, G. V., Barandiarán, J. M., García-Miquel, H., Vázquez, M., Vas’kovskiy, V. O., Svalov, A. V.
Aineistotyyppi:	Artigo
Kieli:	Inglês
Julkaistu:	Elsevier 2000-08-01
Sarja:	Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio
Aiheet:	Thin film magnetic memory magnetoresistance magnetoimpedance Película delgada memoria magnética magnetorresistencia magnetoimpedancia
Linkit:	http://ceramicayvidrio.revistas.csic.es/index.php/ceramicayvidrio/article/view/824/852
Tagit:	Lisää tagi Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!