Особливостi електронної будови поверхнi (111) у кристалах типу A2B6
Для полярної поверхнi (111) у кристалах типу A2B6 iз структурою сфалериту i ZnTe, ZnS, CdTe дослiджено зонну структуру, локальну густину електронних станiв (повна i пошарова), а також розподiл зарядової густини валентних електронiв (3D-графiки та контурнi карти). Окремо розглянуто властивостi поверх...
Uloženo v:
| Hlavní autoři: | , |
|---|---|
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
Publishing House "Akademperiodyka"
2025-03-01
|
| Edice: | Доповiдi Нацiональної академiї наук України |
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://nasu-periodicals.org.ua/index.php/dp/article/view/17413 |
| Tagy: |
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|