Gate modulation of barrier height of unipolar vertically stacked monolayer ReS2/MoS2 heterojunction

Abstract This study investigates vertically stacked CVD grown ReS2/MoS2 unipolar heterostructure device as Field Effect Transistor (FET) device wherein ReS2 on top acts as drain and MoS2 at bottom acts as source. The electrical measurements of ReS2/MoS2 FET device were carried out and variation in I...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי

Principais autores:	Gowtham Polumati, Chandra Sekhar Reddy Kolli, Aayush Kumar, Mario Flores Salazar, Andres De Luna Bugallo, Parikshit Sahatiya
פורמט:	Artigo
שפה:	Inglês
יצא לאור:	Nature Portfolio 2024-09-01
סדרה:	Scientific Reports
נושאים:	ReS2 MoS2 vDW heterojunction FET
גישה מקוונת:	https://doi.org/10.1038/s41598-024-72448-2
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!