Abnormal threshold voltage shifts in p-channel low temperature polycrystalline silicon TFTs under deep UV irradiation
The electrical properties of p-channel low temperature polycrystalline silicon (LTPS) thin film transistors (TFTs) under deep ultraviolet (UV) irradiation were studied. Characteristics including threshold voltage (Vth), hole field effect mobility (μeff) subthreshold swing (SS), and leakage current (...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
AIP Publishing LLC
2021-08-01
|
| தொடர்: | AIP Advances |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | http://dx.doi.org/10.1063/5.0060553 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|