Mã QR

Analysis of Channel Potential Recovery According to the Back Pattern in 3D NAND Flash Memory

This study analyzed the recovery of channel potential according to the program states of adjacent cells. When the verify operation ended, and all voltages dropped to 0 V and the decreased potential of the floating channel caused by the down-coupling phenomenon was recovered continuously over time, r...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Gyunseok Ryu, Hyunju Kim, Jihwan Lee, Myounggon Kang
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: MDPI AG 2023-03-01
Loạt:Applied Sciences
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://www.mdpi.com/2076-3417/13/6/3388
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!