粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷
作者对AlGaAs/GaAs结构调制掺杂材料及多量子阱材料 ,分别使用电子束或质子束辐照 电子束辐照能量为 0 .4～ 1.8MeV ,辐照注量为 1× 10 13cm- 2 ～ 1× 10 16 cm- 2 ,质子束辐照能量为 2 0～ 130keV ,辐照注量为 1× 10 11cm- 2 ～ 1× 10 14 cm- 2 .辐照前后的样品均经过深能级瞬态谱 (DLTS)的测试 .测试结果表明 ,电子束辐照引入了新缺陷 ,其能级位置为E3=Ec-0 .6 5eV ,而质子辐照引入的深缺陷能级为E1=Ec- 0 .2 2eV ,电子和质子束辐照同时对与掺Si有关的原生缺陷DX中心E2 =Ec...
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| Главные авторы: | , , , |
|---|---|
| Формат: | Artigo |
| Язык: | Inglês |
| Опубликовано: |
Editorial Department of Journal of Sichuan University (Natural Science Edition)
2000-01-01
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| Серии: | 四川大学学报. 自然科学版 |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://science.scu.edu.cn/thesisDetails?columnId=156422298&Fpath=home&index=0 |
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