Bias Switchable Dual-Band InAs/GaSb Superlattice Detector With pBp Architecture
We report on a dual-band [mid/long-wave infrared (MWIR and LWIR)] InAs/GaSb strained layer superlattice detector with a pBp architecture. Fifty percent cutoff wavelengths of 5 and 9 μm were obtained with diffusion-limited behavior for midwave IR absorber. At 77 K, the peak D* values were equa...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
IEEE
2011-01-01
|
| Loạt: | IEEE Photonics Journal |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ieeexplore.ieee.org/document/5729307/ |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|